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蒸镀氧化硅型阻隔性包装薄膜的制备工艺

时间:2020-10-19     作者:南京住野精工【原创】

蒸镀氧化硅型阻隔性包装薄膜的制备工艺

采用物理蒸镀法(PVC)和化学蒸镀法(CVC)制备了具有阻隔性的氧化硅型包膜。按照具体实施方法的不同,可分为以下几种。下面万瑞博与大家来具体看一看!

1、物理蒸镀。

物理蒸镀又称物理气相沉积,它包括电阻丝蒸镀,电子束蒸镀和溅射蒸镀。其中电阻式蒸镀和电子束蒸镀要求SiO2在高温下蒸发,而溅射沉积采用单元素靶,沉积温度低,沉积速度快,靶材不受限制,镀层质量好。

(1)电阻丝的蒸镀工艺。

电阻丝蒸发镀膜工艺是在真空室中,用电阻丝加热SiO2,温度达到1700℃,高温和真空使SiO2以原子或分子形式从表面蒸发而逸出,形成蒸气气流,蒸气气流沉积在基材表面,形成含有SiOx的阻隔膜。

(2)电子束蒸发器用镀膜法。

电子束蒸发镀膜法是将SiO2置于水冷铜坩埚中,直接用电子束加热,蒸发蒸发,然后在基材表面冷凝,形成含有SiO2的隔膜,用于隔膜包覆。电子束轰击热源时,其束流密度高,能量密度远高于电阻加热源,蒸发温度高(电子束20kW/cm2的加热能量,温度更高达3000~6000℃),因此尤其适用于制作高熔点薄膜材料和高纯薄膜材料,且蒸发速度快。因为热能可以直接加到蒸镀材料表面,所以热效率高,传热和热辐射损失小,生产出的SiOz包膜的阻隔性比用电阻丝蒸镀方法生产的产品也有明显的提高。

(3)溅射分析。

也被称为磁控溅射或高速低温溅射。采用单元素靶材溅射和注入反应气体的反应过程被称为反应溅射,通过调整沉积工艺参数,可以制备化学比例或非化学比例的化合物薄膜,从而实现通过调整薄膜镀层组成来调整薄膜特性的目的。与蒸发法相比,磁控溅射法具有镀层与基材结合力强,镀层致密均匀等优点。磁控制溅射的其它优点有:设备简单,操作方便,在溅射镀膜过程中,只要保持工作气压和溅射功率不变,基本上就可以达到稳定的沉积速率。主要的缺点是。

由于沉积速度较低,且有可能发生靶毒,导致打火和溅射不稳定以及薄膜缺陷等问题,限制了其应用,因此还需进一步改进。

2.化学镀(PECVD)

化学镀层又称等离子体增强化学气相沉积或等离子体聚合,是指用等离子体的方法生成电子、离子和活性基团,并在气体或基体的表面进行化学反应。利用射频电源产生辉光放电的化学气相沉积技术(射频电源放电可设为连续放电或脉冲放电),或者用微波放电来离解反应气体,形成等离子体,等离子体与基膜表面发生相互作用沉积成膜。在包装工程中,谷吉海等人对PECVD蒸镀技术的原理、特点、应用以及陶瓷膜蒸镀技术的发展趋势进行了展望。南京住野精工阻隔膜设备有限公司。

利用有机硅化合物作单体[主要是有机硅烷,如六甲基二硅氧烷、四甲基二硅氧烷、八甲基二硅氧烷等],利用等离子体技术将其分离,然后将其聚合沉积到基材表面,是一种制备SiOx阻隔性包装膜的新方法,该方法具有沉积温度低,沉积速度快的特点,通过改变极板负偏压,可以调节不同颗粒的能量,制备SiOx阻隔性包装膜。近几年来,在等离子体化学领域的研究成果令人瞩目。


包装薄膜生成线


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